STP11NM65N, Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
![STP11NM65N, Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC004161859.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
727 шт., срок 7-9 недель
1 870 ֏
Мин. кол-во для заказа 72 шт.
Добавить в корзину 72 шт.
на сумму 134 640 ֏
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | NRND |
Product Category | Power MOSFET |
Process Technology | MDmesh |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 380@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 45@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 45 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@50V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
Typical Fall Time (ns) | 20 |
Typical Rise Time (ns) | 13 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tube |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220 |
Standard Package Name | TO-220 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 9.15(Max) |
Package Length | 10.4(Max) |
Package Width | 4.6(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STP11NM65N
pdf, 503 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг