STL18N55M5, Trans MOSFET N-CH Si 550V 2.4A 4-Pin Power Flat EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7-9 недель
2 580 ֏
Мин. кол-во для заказа 52 шт.
Добавить в корзину 52 шт.
на сумму 134 160 ֏
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| Product Category | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Process Technology | MDmesh |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 550 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 270@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 31@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 31 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1352@100V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 90000 |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Rise Time (ns) | 9.5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 23 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Supplier Package | Power Flat |
| Pin Count | 5 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.88 |
| Package Length | 8 |
| Package Width | 8 |
| PCB changed | 5 |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
