STP52N25M5, Trans MOSFET N-CH Si 250V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
783 шт., срок 7-9 недель
1 960 ֏
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
Добавить в корзину 70 шт.
на сумму 137 200 ֏
Описание
N-канал 250V 28A (Tc) 110W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Технические параметры
| Base Product Number | STP52N -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 50V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 14A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў V -> |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 461 КБ
Datasheet STP52N25M5
pdf, 482 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
