STD5N52K3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 56 шт. —
480 ֏
25 шт.
на сумму 14 500 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 525В, 2,77А, 70Вт, DPAK
Технические параметры
Корпус | to252 | |
кол-во в упаковке | 2500 | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.4A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 525V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 100V | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
Packaging | Digi-ReelВ® | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V | |
Series | SuperMESH3в(ў | |
Standard Package | 1 | |
Supplier Device Package | DPAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50ВµA | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 16 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-252-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 17 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms | |
Rise Time: | 11 ns | |
Series: | STD5N52K3 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | MDmesh | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 525 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 5 августа1 | бесплатно |
HayPost | 8 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг