STN4NF03L
![Фото 1/6 STN4NF03L](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166286.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181996.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/466/DOC021466578.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514314.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/405/DOC035405863.jpg)
22 шт. с центрального склада, срок 2 недели
183 ֏
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
Добавить в корзину 22 шт.
на сумму 4 026 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор полевой STN4NF03L от производителя STMicroelectronics является высококачественным полупроводниковым компонентом, предназначенным для современной электроники. Этот N-MOSFET транзистор, выполненный в компактном корпусе SOT223, предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обладает максимальным током стока 4 А. Это делает его идеальным для различных силовых применений. Напряжение сток-исток достигает 30 В, а мощность рассеивания составляет 2,5 Вт, что обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электронных схем. Использование STN4NF03L позволит значительно улучшить производительность вашего оборудования благодаря высокому уровню интеграции и эффективности. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 4 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 2.5 |
Корпус | SOT223 |
Технические параметры
Корпус | sot223 | |
кол-во в упаковке | 4000 | |
Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A | |
Pd - рассеивание мощности | 3.3 W | |
Qg - заряд затвора | 6.5 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 100 ns | |
Время спада | 22 ns | |
Высота | 1.8 mm | |
Длина | 6.5 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | STripFET | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 4000 | |
Серия | STN4NF03L | |
Средства разработки | STEVAL-ISA147V3 | |
Технология | Si | |
Тип | MOSFET | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET | |
Типичное время задержки выключения | 35 ns | |
Типичное время задержки при включении | 11 ns | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
Ширина | 3.5 mm | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single Dual Drain | |
Factory Pack Quantity | 4000 | |
Fall Time | 22 ns | |
Forward Transconductance - Min | 6 S | |
Height | 1.8 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 6.5 A | |
Length | 6.5 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | SOT-223-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 3.3 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms | |
Rise Time | 100 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel STripFET | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | |
Unit Weight | 0.004395 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V | |
Width | 3.5 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V | |
Maximum Power Dissipation | 3.3 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-223 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V | |
Automotive | No | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
Lead Shape | Gull-wing | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50@10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3300 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Surface Mount | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
PPAP | No | |
Process Technology | STripFET II | |
Standard Package Name | SOT | |
Supplier Package | SOT-223 | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 22 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6.5 | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.5@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 330@25V | |
Typical Rise Time (ns) | 100 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 | |
Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet
pdf, 213 КБ
Datasheet STN4NF03L
pdf, 228 КБ
Datasheet STN4NF03L
pdf, 214 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг