STB9NK50ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 шт. с центрального склада, срок 2 недели
800 ֏
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
Добавить в корзину 18 шт.
на сумму 14 400 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 4,5А, 110Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | TO263 | |
| кол-во в упаковке | 1000 | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.2A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
| Packaging | Cut Tape(CT) | |
| Part Status | Not For New Designs | |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.6A, 10V | |
| Series | SuperMESHв(ў | |
| Standard Package | 1 | |
| Supplier Device Package | D2PAK | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±30V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100ВµA | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
