STB42N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
14 600 ֏
1 шт.
на сумму 14 600 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 650V, 33A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
| Power Dissipation | 190Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 33А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 190Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 79 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh M5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Width | 10.4mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 79 mOhms |
| Rise Time: | 24 ns |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 61 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 972 КБ
Datasheet STB42N65M5
pdf, 1099 КБ
Datasheet STW42N65M5
pdf, 989 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
