STP5N60M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 200 ֏
от 2 шт. —
1 720 ֏
от 5 шт. —
1 390 ֏
от 10 шт. —
1 270 ֏
1 шт.
на сумму 2 200 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
N-Channel MOSFET, 3.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP5N60M2
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600(Min)V |
| Maximum Gate Source Voltage | ?25 V |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
| Package | 3TO-220 |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rad Hard | No |
| RDS-on | 1.4@10V Ohm |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh M2 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 565 КБ
Datasheet STP5N60M2
pdf, 1267 КБ
Документация
pdf, 1062 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
