STP45NF06
![Фото 1/3 STP45NF06](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452314.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
39 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
890 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
720 ֏
от 10 шт. —
590 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 780 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 26А, 80Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 10 ns |
Forward Transconductance - Min | 18 S |
Height | 9.15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 38 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 80 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 28 mOhms |
Rise Time | 40 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 4.6 mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 10 ns |
Forward Transconductance - Min: | 18 S |
Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 80 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
Rise Time: | 40 ns |
Series: | STP45NF06 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 672 КБ
Datasheet STP45NF06
pdf, 687 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг