STW18N60DM2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 3 недели
3 440 ֏
от 2 шт. —
3 170 ֏
1 шт.
на сумму 3 440 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой STW18N60DM2 от компании STMicroelectronics – надежный компонент для мощных электронных схем. Этот N-MOSFET транзистор предназначен для монтажа в отверстия (THT) и обладает впечатляющей мощностью в 90 Вт. Ток стока достигает 7,6 А, а рабочее напряжение сток-исток составляет 600 В, что делает его подходящим для высоковольтных применений. С низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,26 Ом, STW18N60DM2 обеспечивает эффективную проводимость и минимизацию потерь мощности. Устройство упаковано в прочный корпус TO247, который гарантирует долговечность и надежность в эксплуатации. Купите STW18N60DM2 для вашего следующего проекта и убедитесь в качестве компонентов от STMicroelectronics. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 7.6 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 90 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.26 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Fall Time | 32.5 ns |
| Forward Transconductance - Min | - |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 20 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 0.26 Ohms |
| Rise Time | 8 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Fall Time: | 32.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 260 mOhms |
| Rise Time: | 8 ns |
| Series: | STW18N60DM2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 4.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 222 КБ
Документация
pdf, 452 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
