STW11NM80
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт. с центрального склада, срок 3 недели
6 700 ֏
от 2 шт. —
6 100 ֏
от 5 шт. —
5 600 ֏
1 шт.
на сумму 6 700 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой STW11NM80 от STMicroelectronics — высокомощный компонент для силовой электроники. Устройство выполнено в надежном корпусе TO247, предназначенном для монтажа THT (сквозное отверстие). Способно выдерживать ток стока до 8 А и напряжение сток-исток до 800 В, что делает его идеальным для высоковольтных применений. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,35 Ом, обеспечивая эффективную работу с минимальными потерями. Тип N-MOSFET подчеркивает эффективность и надежность использования в различных схемах. Код товара STW11NM80 гарантирует соответствие международным стандартам качества и безопасности. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 8 |
Напряжение сток-исток, В | 800 |
Мощность, Вт | 150 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.35 |
Корпус | TO247 |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 600 |
Fall Time | 15 ns |
Forward Transconductance - Min | 8 S |
Height | 20.15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 11 A |
Length | 15.75 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 150 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
Rise Time | 17 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 5.15 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Fall Time: | 15 ns |
Forward Transconductance - Min: | 8 S |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 43.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
Rise Time: | 17 ns |
Series: | STW11NM80 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 6.288 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 904 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 906 КБ
Datasheet STB11NM80T4
pdf, 888 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг