STF18NM80
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт. с центрального склада, срок 3 недели
8 600 ֏
от 2 шт. —
8 000 ֏
от 5 шт. —
7 500 ֏
от 10 шт. —
7 200 ֏
1 шт.
на сумму 8 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 800V, 17A, TO 220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:40W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 295@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 800 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?30 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 40000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (?C) | -65~150 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Process Technology | MDmesh |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220FP |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 70 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 70@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2070@50V |
Drain Source On State Resistance | 0.25Ом |
Power Dissipation | 40Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 17А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 50 ns |
Forward Transconductance - Min: | 14 S |
Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 40 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 70 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
Rise Time: | 28 ns |
Series: | STF18NM80 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг