STF22NM60N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт. с центрального склада, срок 3 недели
4 400 ֏
от 2 шт. —
3 880 ֏
от 5 шт. —
3 470 ֏
от 10 шт. —
3 290 ֏
1 шт.
на сумму 4 400 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 10А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 38 ns |
Id - Continuous Drain Current | 16 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 30 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 44 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 220 mOhms |
Rise Time | 18 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 74 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Qg - заряд затвора | 44 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 18 ns |
Время спада | 38 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF22NM60N |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 74 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
cd00237949-1797000
pdf, 579 КБ
Datasheet STF22NM60N
pdf, 579 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг