STGF3NC120HD
![Фото 1/3 STGF3NC120HD](https://static.chipdip.ru/lib/828/DOC043828082.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/122/DOC035122240.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436575.jpg)
5 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
2 320 ֏
от 2 шт. —
1 870 ֏
от 5 шт. —
1 520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 320 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 3А, 25Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.8 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 3 A |
Continuous Collector Current at 25 C | 6 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 6 A |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA |
Height | 9.3 mm |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 FP |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 25 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | 900-1300V IGBTs |
Technology | Si |
Width | 4.6 mm |
Case | TO220FP |
Collector current | 3A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 24nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Mounting | THT |
Power dissipation | 25W |
Pulsed collector current | 20A |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 763 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг