STGY40NC60VD

STGY40NC60VD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
8 500 ֏
от 2 шт.7 900 ֏
от 5 шт.7 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 500 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001984735
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260000mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Single
Continuous Collector Current Ic Max 80 A
Factory Pack Quantity 30
Height 20.3 mm
Length 15.9 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case Max247-3
Packaging Tube
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Series 600-650V IGBTs
Width 5.3 mm
Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.9 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Continuous Collector Current Ic Max: 80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 600
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: Max247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 260 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: STGY40NC60VD
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: PowerMESH
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 275 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 июля1 бесплатно
HayPost 22 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг