STP5NK50Z
![Фото 1/3 STP5NK50Z](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752586.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452310.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
44 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
1 340 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 030 ֏
от 10 шт. —
900 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 680 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,7А, 70Вт, TO220-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 15 ns |
Forward Transconductance - Min | 3.1 S |
Height | 9.15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 4.4 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 70 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 Ohms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 4.6 mm |
кол-во в упаковке | 50 |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 15 ns |
Forward Transconductance - Min: | 3.1 S |
Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 70 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 28 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | STP5NK50Z |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SuperMESH |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 655 КБ
Datasheet STP5NK50Z
pdf, 369 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг