STN3N45K3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
67 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
720 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
489 ֏
от 10 шт. —
383 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 440 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 450В, 0,6А, 3Вт, SOT223 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Id - Continuous Drain Current | 600 mA |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.8 Ohms |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | SuperMesh3 Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 450 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| кол-во в упаковке | 4000 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 600 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 450 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Width | 3.7mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Fall Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 600 mA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Rise Time: | 5.4 ns |
| Series: | STN3N45K3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Type: | SuperMesh3 Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
