STF19NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 25Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
1 940 ֏
от 10 шт. —
1 720 ֏
1 шт.
на сумму 1 940 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 25Вт, TO220FP Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 22 ns |
Время спада | 11 ns |
Высота | 9.3 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MESH OVERLAY |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF19NF20 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 19 ns |
Типичное время задержки при включении | 11.5 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.6 mm |
Base Product Number | STF19 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 7.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | MESH OVERLAYв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 11 ns |
Height | 9.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 15 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 25 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms |
Rise Time | 22 ns |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 4.6 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
Maximum Drain Source Resistance | 160 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Power Dissipation | 25 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Case | TO220FP |
Drain current | 9.45A |
Drain-source voltage | 200V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.16Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 25W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 805 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 533 КБ
Datasheet STF19NF20
pdf, 1046 КБ
Datasheet STF19NF20
pdf, 790 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 5 августа1 | бесплатно |
HayPost | 8 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг