STB120N4LF6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 шт. с центрального склада, срок 3 недели

6 600 ֏

от 2 шт. — 6 000 ֏

от 5 шт. — 5 600 ֏

1 шт. на сумму 6 600 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8002016180

Электроэлемент

Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Product Range:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB120N4LF6

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	80 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Maximum Gate Source Voltage	?20 V
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature	-55 to 175 ?C
Package	3D2PAK
Packaging	Tape & Reel
Rad Hard	No
RDS-on	4@10V mOhm
Typical Fall Time	45 ns
Typical Rise Time	95 ns
Typical Turn-Off Delay Time	125 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns
Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	80 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	STripFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB120N4LF6
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-263-3
Вес, г	4