STW13NK60Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 шт. с центрального склада, срок 3 недели
4 930 ֏
от 2 шт. —
4 360 ֏
от 5 шт. —
3 960 ֏
от 10 шт. —
3 770 ֏
1 шт.
на сумму 4 930 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, +Z 600В 13A 150Вт 0,55Ом TO247
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 600 |
Fall Time | 12 ns |
Forward Transconductance - Min | 11 S |
Height | 20.15 mm |
Id - Continuous Drain Current | 13 A |
Length | 15.75 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 150 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 66 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
Rise Time | 14 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 61 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 5.15 mm |
Case | TO247 |
Drain current | 13A |
Drain-source voltage | 600V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.55Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 150W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
STB13NK60ZT4, STx13NK60Z, STP13NK60ZFP
pdf, 489 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг