STD6N62K3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 820 ֏
от 2 шт. —
2 340 ֏
от 5 шт. —
2 020 ֏
1 шт.
на сумму 2 820 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 620V, 5.5A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):0.95ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Po
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 19 ns |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Length | 6.6 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 34 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.28 Ohms |
| Rise Time | 12.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 6.2 mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 950mΩ@10V, 2.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 620V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 706pF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 90W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 17pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25.7nC@10V |
| Type | N Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.95Ом |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 620В |
| Непрерывный Ток Стока | 5.5А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.75В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 36.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 420 КБ
Datasheet STD6N62K3
pdf, 1061 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
