STB34NM60ND
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
14 300 ֏
1 шт.
на сумму 14 300 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) D2PAK
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 29A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80.4nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2785pF @ 50V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 14.5A, 10V |
Series | FDmeshв(ў II |
Standard Package | 1 |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
...34NM60ND
pdf, 1157 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг