STW21N90K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 2-3 недели
8 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой STW21N90K5 от STMicroelectronics – надежный компонент для мощных электронных схем. Этот N-MOSFET транзистор с монтажом THT отличается высоким напряжением сток-исток в 900 В и током стока 11,6 А, обеспечивая мощность до 250 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,25 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Выполнен в прочном корпусе TO247, который обеспечивает надежную работу и долговечность. Этот транзистор станет оптимальным выбором для разработки мощных источников питания, инверторов и других устройств, где необходима высокая надежность и эффективность. Обратите внимание, с кодом STW21N90K5 вы легко найдете всю необходимую документацию и подробные характеристики данного компонента. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 11.6 |
| Напряжение сток-исток, В | 900 |
| Мощность, Вт | 250 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.25 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Category | Power MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Life Cycle | Active |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 18.5 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 299@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 900 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?30 |
| Maximum Operating Temperature - (?C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 250000 |
| Military Qualified | No |
| Minimum Operating Temperature - (?C) | -55 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Family Name | TO-247 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Supplier Package | TO-247 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 43 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 43@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1645@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 18.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 299mΩ@9A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.645nF@100V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 43nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 6.909 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 992 КБ
STB21N90K5, STF21N90K5, STP21N90K5, STW21N90K5
pdf, 992 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 22 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
