STB11N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 420 ֏
1 шт.
на сумму 2 420 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Id - Continuous Drain Current | 9 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 85 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 480 mOhms |
RoHS | Details |
Series | MDmesh M5 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 480@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 85000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | MDmesh |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 17@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 644@100V |
Drain Source On State Resistance | 0.43Ом |
Power Dissipation | 85Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh M5 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 9А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.43Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Case | D2PAK |
Drain current | 5.6A |
Drain-source voltage | 650V |
Gate charge | 17nC |
Gate-source voltage | ±25V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
On-state resistance | 0.48Ω |
Polarisation | unipolar |
Pulsed drain current | 36A |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг