STP4N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 470 ֏
от 2 шт. —
1 980 ֏
от 5 шт. —
1 630 ֏
1 шт.
на сумму 2 470 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 800V, 3A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):2.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.1 Ohms |
| Rise Time | 15 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 16.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Qg - заряд затвора | 10.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP4N80K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1294 КБ
Datasheet
pdf, 1269 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP4N80K5
pdf, 1290 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
