STD4LN80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

STD4LN80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2490 шт., срок 7-9 недель
760 ֏
Мин. кол-во для заказа 180 шт.
Добавить в корзину 180 шт. на сумму 136 800 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002239728
Бренд: STMicroelectronics

Описание

MDmesh K5 Power MOSFETs
STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 25 ns
Id - Continuous Drain Current: 3 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-252-3
Pd - Power Dissipation: 60 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 3.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.1 Ohms
Rise Time: 9 ns
Series: STD4LN80K5
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 31 ns
Typical Turn-On Delay Time: 7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 640 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 23 августа1 бесплатно
HayPost 27 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг