STP40NF10, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 50A 150Вт TO220
![Фото 1/6 STP40NF10, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 50A 150Вт TO220](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786618.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/570/DOC029570063.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/705/DOC034705463.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/705/DOC034705467.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/705/DOC034705471.jpg)
156 шт., срок 8 недель
1 430 ֏
от 3 шт. —
1 120 ֏
от 10 шт. —
960 ֏
от 50 шт. —
760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 430 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 50A 150Вт TO220 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 46.5 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 2.744 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг