STP6N60M2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 2,9А, 60Вт
![Фото 1/3 STP6N60M2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 2,9А, 60Вт](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752586.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC035880321.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
44 шт., срок 8 недель
1 920 ֏
от 3 шт. —
1 470 ֏
от 10 шт. —
1 270 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 920 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 2,9А, 60Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO220-3 |
Drain current | 2.9A |
Drain-source voltage | 600V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±25V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | THT |
On-state resistance | 1200mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 60W |
Technology | MDmesh™ || Plus |
Type of transistor | N-MOSFET |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 22.5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 60 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 8 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.06 Ohms |
REACH - SVHC: | Details |
Rise Time: | 7.4 ns |
Series: | STP6N60M2 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг