STD25NF10LA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 21А, 100Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1883 шт., срок 8 недель
2 420 ֏
от 5 шт. —
1 940 ֏
от 25 шт. —
1 530 ֏
от 100 шт. —
1 320 ֏
1 шт.
на сумму 2 420 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Drain current | 21A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate-source voltage | ±16V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 100W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Rise Time: | 40 ns |
| Series: | STD25NF10LA |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 637 КБ
Datasheet STD25NF10LA
pdf, 650 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
