STP7NK80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,3А, 125Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

226 шт., срок 8 недель

2 000 ֏

от 3 шт. — 1 560 ֏

от 10 шт. — 1 330 ֏

от 50 шт. — 1 050 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 000 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8002596022

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,3А, 125Вт, TO220-3 Характеристики

Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	20 ns
Forward Transconductance - Min	5 S
Height	9.15 mm
Id - Continuous Drain Current	5.2 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	125 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	40 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	1.8 Ohms
Rise Time	12 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Unit Weight	0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	4.6 mm
Вес, г	1.96