Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP12NK30Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

STP12NK30Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 5,6А, 90Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

119 шт., срок 8 недель

1 560 ֏

от 3 шт. — 1 160 ֏

от 10 шт. — 1 020 ֏

от 50 шт. — 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 560 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002668072

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 5,6А, 90Вт, TO220-3 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	90 W
Qg - заряд затвора	35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	20 ns
Время спада	10 ns
Высота	9.15 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5.4 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP12NK30Z
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	36 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Вес, г	1.95