STB6N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
![Фото 1/3 STB6N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955325.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/402/DOC022402180.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516337.jpg)
254 шт. с центрального склада, срок 3 недели
320 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 12 шт. —
298 ֏
от 24 шт. —
272 ֏
от 47 шт. —
258 ֏
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 240 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A | |
Pd - рассеивание мощности | 110 W | |
Qg - заряд затвора | 7.5 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | MDmesh | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | STB6N80K5 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка / блок | TO-263-3 | |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1266 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг