STB6N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A

Фото 1/3 STB6N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
254 шт. с центрального склада, срок 3 недели
320 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 12 шт.298 ֏
от 24 шт.272 ֏
от 47 шт.258 ֏
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 2 240 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002894542
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A

Технические параметры

Корпус D2Pak(TO-263)
Id - непрерывный ток утечки 4.5 A
Pd - рассеивание мощности 110 W
Qg - заряд затвора 7.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STB6N80K5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 1.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1266 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 24 июля1 бесплатно
HayPost 28 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг