STGP3NC120HD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
254 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 250 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 6 шт. —
1 120 ֏
от 11 шт. —
1 060 ֏
от 22 шт. —
1 020 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Case | TO220AB | |
| Collector current | 7A | |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV | |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode | |
| Gate charge | 24nC | |
| Gate-emitter voltage | ±20V | |
| Kind of package | tube | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting | THT | |
| Power dissipation | 75W | |
| Pulsed collector current | 20A | |
| Type of transistor | IGBT | |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 763 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
