STGW60H65DRF
![STGW60H65DRF](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
6 800 ֏
1 шт.
на сумму 6 800 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ, 650В 120A TO-247 Tube Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
Gate Charge | 217nC |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 420W |
Reverse Recovery Time (trr) | 19ns |
Series | - |
Supplier Device Package | TO-247 |
Switching Energy | 940ВµJ(on), 1.06mJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 85ns/178ns |
Test Condition | 400V, 60A, 10 Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 60A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Вес, г | 8.5 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг