STB43N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт. с центрального склада, срок 3 недели
12 100 ֏
от 2 шт. —
11 300 ֏
от 5 шт. —
10 700 ֏
1 шт.
на сумму 12 100 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 650V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 5.5 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 0.63@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 650 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 5 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 250000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Process Technology | MDmesh M5 |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 100 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 100@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4400@100V |
Automotive Standard | AEC-Q101 |
Forward Diode Voltage | 1.6V |
Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 630 mΩ |
Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 70 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Width | 9.35mm |
Вес, г | 2.645 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 848 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг