STP9NK65ZFP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 510 ֏
1 шт.
на сумму 2 510 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
N-channel 650 V - 1 Ohm - 6.4 A TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 15 ns |
Forward Transconductance - Min | 6 S |
Height | 9.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 6.4 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220FP-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 30 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 41 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
Rise Time | 12 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.75 V |
Width | 4.6 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 6.4 A |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Qg - заряд затвора | 41 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 12 ns |
Время спада | 15 ns |
Высота | 9.3 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP9NK65ZFP |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 45 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.6 mm |
Automotive | No |
Channel Type | N |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.4 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220FP |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 15 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 41 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 41@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1145@25V |
Typical Rise Time (ns) | 12 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг