STE88N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 3 недели
70 800 ֏
1 шт.
на сумму 70 800 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Модуль транзисторный, 494Вт, Uds 650В, 88А, 24мОм, Корп ISOTOP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 88A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 204nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8825pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | ISOTOP |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 494W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 42A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў V |
| Supplier Device Package | ISOTOP |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 39.21 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
