IRF630, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRF630, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/912/DOC012912235.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/005/DOC034005806.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/331/DOC035331761.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/473/DOC038473393.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752585.jpg)
778 шт. с центрального склада, срок 8 дней
910 ֏
580 ֏
от 15 шт. —
520 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 200В 9A 75Вт TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 Ом/4.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 | |
Крутизна характеристики, S | 3.8 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг