STP6NK60Z, Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3518 шт., срок 8-10 недель
720 ֏
Мин. кол-во для заказа 230 шт.
от 419 шт. —
670 ֏
от 1187 шт. —
650 ֏
Добавить в корзину 230 шт.
на сумму 165 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 3,8А, 110Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Rds Вкл | 1.2 Ohms |
| RoHS | Подробности |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 14 ns |
| Время спада | 19 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Напряжение пробоя затвор-исток | +/-30 V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Непрерывный ток стока | 6 A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Рассеяние мощности | 110 W |
| Серия | STP6NK60Z |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Series: | STP6NK60Z |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
