Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP3NK80Z, Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A ...

STP3NK80Z, Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4072 шт., срок 8-10 недель

540 ֏

Мин. кол-во для заказа 310 шт.

от 579 шт. — 489 ֏

от 1640 шт. — 467 ֏

Добавить в корзину 310 шт. на сумму 167 400 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003195099

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	40 ns
Id - Continuous Drain Current:	2.5 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	70 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	19 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	4.5 Ohms
Rise Time:	27 ns
Series:	STP3NK80Z
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	SuperMESH
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel Power MOSFET
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	36 ns
Typical Turn-On Delay Time:	17 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.5 A
Maximum Drain Source Resistance	4.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	70 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	19 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	2.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	4500@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	800
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	70000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Process Technology	SuperMESH
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	40
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	19
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	19@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	485@25V
Typical Rise Time (ns)	27
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	36
Typical Turn-On Delay Time (ns)	17
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г	1