Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP11NK40ZFP, Trans MOSFET N-CH 400V 9A ...

STP11NK40ZFP, Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6483 шт., срок 8-10 недель

1 030 ֏

Мин. кол-во для заказа 160 шт.

от 290 шт. — 980 ֏

от 820 шт. — 940 ֏

Добавить в корзину 160 шт. на сумму 164 800 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003195243

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор полевой STP11NK40ZFP от известного производителя STMicroelectronics представляет собой надежный компонент для использования в различных электронных устройствах. Оснащенный монтажом THT, этот N-MOSFET транзистор обладает током стока 9 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 400 В, что делает его подходящим для высоковольтных применений. С мощностью 30 Вт и упакованный в удобный для монтажа корпус TO220FP, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Ваш выбор модели STP11NK40ZFP гарантирует стабильные характеристики и долговечность компонента в вашей электронной аппаратуре. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	9
Напряжение сток-исток, В	400
Мощность, Вт	30
Корпус	TO220FP

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	30 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	20 ns
Время спада	18 ns
Высота	9.3 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5.8 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP11NK40ZFP
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Power MOSFET
Типичное время задержки выключения	40 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220FP-3
Ширина	4.6 mm
Base Product Number	STP11 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 4.5A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package	TO-220FP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100ВµA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	9
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	550 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	400
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	SuperMESH
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220FP
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	18
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	32
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	32 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	930 25V
Typical Rise Time (ns)	20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	40
Typical Turn-On Delay Time (ns)	20
Brand	STMicroelectronics
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	18 ns
Forward Transconductance - Min	5.8 S
Height	9.3 mm
Id - Continuous Drain Current	9 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Pd - Power Dissipation	30 W
Qg - Gate Charge	32 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms
Rise Time	20 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.75 V
Width	4.6 mm
Maximum Continuous Drain Current	9 A
Maximum Drain Source Resistance	550 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	400 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Power Dissipation	30 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Package Type	TO-220FP
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	32 nC @ 10 V
Вес, г	1