STR2P3LLH6, Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
![Фото 1/3 STR2P3LLH6, Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131569.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/162/DOC004162509.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
6000 шт., срок 8-10 недель
227 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
205 ֏
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 681 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.048Ом |
Power Dissipation | 350мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | STripFET H6 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 2А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.048Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 56@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | STripFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Fall Time (ns) | 3.4 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 639@25V |
Typical Rise Time (ns) | 5 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19.2 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.4 |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 3.4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms |
Rise Time: | 5 ns |
Series: | STR2P3LLH6 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 19.2 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг