STP80NF10FP, Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Фото 1/5 STP80NF10FP, Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9785 шт., срок 8-10 недель
1 600 ֏
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
от 186 шт.1 520 ֏
от 525 шт.1 460 ֏
Добавить в корзину 100 шт. на сумму 160 000 ֏
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 8003210630
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A TO-220FP Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 60 ns
Id - Continuous Drain Current: 80 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 300 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 189 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 15 mOhms
Rise Time: 80 ns
Series: STP80NF10FP
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: STripFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 116 ns
Typical Turn-On Delay Time: 26 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 80 A
Maximum Drain Source Resistance 15 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 45 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220FP
Pin Count 3
Series STripFET II
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 135 nC @ 10 V
Width 4.6mm
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet
pdf, 224 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 30 августа1 бесплатно
HayPost 3 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг