STP80NF55-06, Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
![Фото 1/4 STP80NF55-06, Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube](https://static.chipdip.ru/lib/709/DOC005709321.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/811/DOC024811711.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
609 шт., срок 8-10 недель
1 250 ֏
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
от 234 шт. —
1 200 ֏
Добавить в корзину 130 шт.
на сумму 162 500 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Технические параметры
RoHS Compliant | Yes |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.5@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | STripFET II |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220AB |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 65 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 142 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 142@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4400@25V |
Typical Rise Time (ns) | 155 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 125 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 27 |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Series | STripFET II |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 142 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 430 КБ
Datasheet
pdf, 439 КБ
Datasheet STP80NF55-06
pdf, 437 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг