STF6N65K3, Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 8-10 недель
1 120 ֏
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 714 шт. —
1 030 ֏
Добавить в корзину 150 шт.
на сумму 168 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Qg - заряд затвора | 35 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 15 ns |
Время спада | 22 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | SuperMESH |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF6N65K3 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 54 ns |
Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STF6N65K3
pdf, 1008 КБ
STF6N65K3, STFI6N65K3, STU6N65K3
pdf, 891 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг