STP20NM60FP, Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2350 шт., срок 8-10 недель
2 230 ֏
Мин. кол-во для заказа 71 шт.
от 133 шт. —
2 140 ֏
от 377 шт. —
2 040 ֏
Добавить в корзину 71 шт.
на сумму 158 330 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 192Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 50 |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Other Names | 497-2771-5 |
| Other Related Documents | STP20NM60FP View All Specifications |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Packaging | Tube |
| Power - Max | 45W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 10V |
| Series | MDmesh™ |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms |
| Rise Time: | 20 ns |
| Series: | STP20NM60FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 290 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/150 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Диапазон рабочих температур | +150 °С |
| Емкость, пФ | 1500 |
| Заряд затвора, нКл | 54 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 600 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 20 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 290 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-45 Вт |
| Описание | N-Channel 600 V 20A(Tc)45W(Tc)Through Hole TO-220FP |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
