Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP13NK60ZFP, Транзистор полевой MOSFET ...

STP13NK60ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

172 шт. с центрального склада, срок 3 недели

1 020 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 12 шт. — 840 ֏

от 23 шт. — 780 ֏

от 50 шт. — 740 ֏

2 шт. на сумму 2 040 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003617137

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Технические параметры

Корпус	TO-220FP
Id - непрерывный ток утечки	13 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	66 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.75 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	14 ns
Время спада	12 ns
Высота	16.4 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP13NK60ZFP
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	61 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220FP-3
Ширина	4.6 mm
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	12 ns
Forward Transconductance - Min	11 S
Height	16.4 mm
Id - Continuous Drain Current	13 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220FP-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	35 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	66 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms
Rise Time	14 ns
RoHS	Details
Series	N-channel MDmesh
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	61 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns
Unit Weight	0.01164 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.75 V
Width	4.6 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	13 A
Maximum Drain Source Resistance	550 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Power Dissipation	35 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	66 nC @ 10 V
Вес, г	1.72