STP55NF06FP, Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Фото 1/3 STP55NF06FP, Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8630 шт., срок 8-10 недель
980 ֏
Мин. кол-во для заказа 170 шт.
от 303 шт.940 ֏
от 856 шт.900 ֏
Добавить в корзину 170 шт. на сумму 166 600 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003630361
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 35А, 30Вт, TO220FP

Технические параметры

Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 50
Fall Time 15 ns
Forward Transconductance - Min 18 S
Id - Continuous Drain Current 50 A
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 30 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 44.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 15 mOhms
Rise Time 50 ns
RoHS Details
Series N-channel STripFET
Transistor Polarity N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 36 ns
Unit Weight 0.071959 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 15 ns
Forward Transconductance - Min: 18 S
Id - Continuous Drain Current: 50 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 30 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 44.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 15 mOhms
Rise Time: 50 ns
Series: STP55NF06FP
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: STripFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 36 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 793 КБ
Datasheet
pdf, 778 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 30 августа1 бесплатно
HayPost 3 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг