STB11NM60T4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. с центрального склада, срок 3 недели
5 200 ֏
от 2 шт. —
4 580 ֏
1 шт.
на сумму 5 200 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.45OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB
Технические параметры
Category | Discrete Semiconductor Products |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Family | FETs-Single |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Names | 497-6545-1 |
Other Related Documents | STB11NM60 View All Specifications |
Package / Case | TO-263-3, D?Pak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Power - Max | 160W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
Series | MDmesh™ |
Standard Package | 1 |
Supplier Device Package | D2PAK |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 11 ns |
Forward Transconductance - Min: | 5.2 S |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 160 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 30 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
Rise Time: | 20 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
Вес, г | 2.495 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг