STF34NM60ND, Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II, полевой, 600В, 18А, Idm: 116А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 шт., срок 8 недель
7 000 ֏
от 3 шт. —
6 200 ֏
от 10 шт. —
4 760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™ II, полевой, 600В, 18А, Idm: 116А Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO220FP |
Drain current | 18A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate-source voltage | ±25V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.11Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 40W |
Pulsed drain current | 116A |
Technology | FDmesh™ II |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг